新電元工業、650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを発売　従来FRD比でVFを約50％低減

新電元工業株式会社は、650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオードの発売を開始した。高効率電源の実現に貢献する製品として、サーバー電源や産業機器向け電源での利用を想定している。発売時期は2026年9月。

データセンター需要の拡大で、電源の効率向上が課題に

DXやAIの普及によりデータセンターの需要が広がっている。省エネ性能の向上も求められており、サーバー電源や産業機器向け電源には、これまで以上の高効率化が必要とされている。

電力変換では、高周波動作による効率向上が進んでいる。その一方で、従来のファストリカバリダイオード（FRD）では導通損失とスイッチング損失が課題になっていた。新電元工業はこの課題に対応するため、今回の650V耐圧SiCショットキーバリアダイオードを開発した。

新製品は、SiCとSBD構造を組み合わせることで、従来のFRDと比べて順方向電圧（VF）とリカバリ特性を大幅に改善した。サーバー電源や産業機器向け電源の高効率化、省エネ化、小型化に貢献するとしている。

順方向電圧（VF）は、従来のFRDに比べて約50％低減した。導通損失を抑えることで、電源システムの高効率化に寄与する。

リカバリ電荷量（Qrr）は、従来のFRDに比べて85％改善した。高周波で動作させたときのスイッチング損失を低減し、高効率な電力変換を可能にする。

設計の最適化により、スイッチングノイズに影響するIRPを、他社のSiCショットキーバリアダイオードよりも改善した。高周波電源回路のノイズを抑えることで、周辺回路の小型化にもつながるという。

新電元工業は、新製品のその他の特長として次の点を挙げている。

用途例は以下のとおり。

新電元工業は1949年に設立され、パワー半導体やスイッチング電源などのパワーエレクトロニクスを主な事業領域としている。半導体技術、回路技術、実装技術をあわせ持つメーカーとして、これらのコア技術を融合・発展させ、持続可能な社会の実現に役立つ製品を提供していくとしている。